产品介绍

该设备应用于SiC/GaN衬底及外延片的表面和晶体缺陷检测，采用显微光致发光成像、共聚焦微分干涉成像及高分辨暗场成像，实现透明样品的无接触、非破坏性和超快速的缺陷/亚表面缺陷检出。

1.采用共聚焦技术，排除离焦的光学杂散信号，尤其对透明类样品（宽禁带化合物半导体或透明衬底）。实现在不同深度位置的成像，揭示隐性的体缺陷

2. 采用宽光谱PL成像技术，根据晶体缺陷在光谱中位置进行成像设计，因此可根据缺陷的“指纹”进行精准的分类。

典型的检测结果

缺陷Map

良率分区统计

2*2mm 分区统计

4inch晶圆~1000颗

如果您有任何疑问或者想了解更多信息？

基于深度学习进行缺陷分类，具备基础模型与用户自定义缺陷

最小缺陷检出精度优于100 nm（经认证标片验证）

支持超3000万个分区

支持自定义缺陷类型、大小等作为良率判据

50*50 um 分区统计

4inch晶圆~300w颗