产品介绍

应用领域：

COW/COC1/COC2 的MicroLED Wafe的缺陷检测；4", 6" EPI的缺陷检测

产品优势

该设备应用于 Micro LED 芯片的晶圆级巨量检测过程中，对Micro LED晶圆进行检测，对芯片发光性能进行监控，提高良率，对分BIN工艺提供分选依据。随着 LED 晶粒尺寸的缩小，每片晶圆上的晶粒数量会达到数百万或千万颗以上，需对每颗 LED 晶粒进行光学性能检测。我们采用显微光致发光成像、共聚焦微分干涉成像及高分辨暗场成像，实现透明样品的无接触、非破坏性和超快速的缺陷/亚表面缺陷检出，从而大幅提高生产效率和良率，降低生产成本，加速产业发展。

1.采用高效高精度的巨量目标光谱采集技术。通过高空间分辨的光强光谱采集方法，实现对巨量目标的同步检测，同时采集光强和光谱信号，提高检测效率。

2. 采用Micro-LED光致发光区域均匀激发技术。采用特殊的光学照明系统避免激发光差异性带来的发光异常，实现均匀光源激发下光致发光强度一致性检测。

3. 采用缺陷Micro-LED光致发光特性大数据模型。分析其发光光强光谱类型，建立异常芯片数据库，研究基于光谱参数层面的Micro-LED缺陷与异常诊断方法，确定空间、光强、光谱参数，实现高效精准的异常判断，满足Micro LED产业发展的检测需求。

典型的检测结果

相同位置Micro LED芯片 PL vs AOI

发光亮度分布

发光波长分布

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