产品介绍

产品优势

该设备应用于 Micro LED 芯片的表面缺陷检测以及位置量测，对Micro LED晶圆进行位置量测和外观检测，为转移修复工艺提供数据支持，监控芯片良率。我们采用高精度显微成像技术和先进算法分析，实现Micro LED样品的亚微米级的缺陷检测以及精确的位置测量，能够识别微小瑕疵、确保产品一致性，同时提供精准数据支持，为高质量生产和良率提升提供有力保障。

1.采用无基准情况下芯片的位移量(X/Y)、偏转量(Theta)的精确量测(±1.0μm)技术。通过在硬件和算法两方面进行系统级误差校正，用以消除如运动轴直线度偏差、X-Y垂直度偏差、光学成像畸变、图像特征边缘识别偏差等，以此达到要求的精确度。

2. 满足tact time<30s (或>120UPH) 的超高通量检测速度。采用超大视野的光学成像系统和超高速自动对焦系统，并匹配高分辨率的TDI线扫相机，完成快速的图像采集过程。同时具备相应的高速图像处理算法，针对大量的图像数据进行实时运算分析，实现快速检出。

典型的检测结果

缺陷分类 Wafermap

缺陷分类 Wafermap

位置测量 Wafermap

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